射頻離子源技術(shù)參數(shù)23cm:
Beam電流:150~1500mA
Beam電壓:100~1800V
離子源射頻功率:50~1200W
中和器Emission電流:200~3000mA
連續(xù)無保養(yǎng)工作時(shí)長(zhǎng):50~100+小時(shí)
射頻離子源使用環(huán)境:
1路氧氣、2路氣氣，純度>99.99%
ACC電壓:100~1500V(注意ACC必頻2100)
中和比E/B:100~200%
中和器射頻功率:45~200W
離子熱輻射溫度(>400mm工作距離):<70C
電力:380V+5%，3相5線5Kw
冷卻水:射頻線圈>1L/min，離子源本體>3L/min，水溫<25C
進(jìn)出水壓差>0.2~0.4Mpa
射頻離子源是利用高頻電場(chǎng)作用于氣體分子時(shí)，使氣體分子被加速，從而使其獲得能量躍遷至高能態(tài)，在高能態(tài)下電子與
分子中的原子核發(fā)生碰撞，使原子核獲得足夠的能量從而離開原子成為離子，這些離子會(huì)被高頻電場(chǎng)加速并聚集在離子源出口
處，通過ACC極板抽出正離子形成離子流，成都天一國(guó)泰RF射頻離子源為無燈絲離子源，可提供高能量低濃度的寬束離子束，
可提高致密、光滑、無針孔耐用的薄膜，無需偏壓襯底，可極大改善薄膜的光透射,、均勻性、附著力等，非常適用于復(fù)雜精密
的多層薄膜備制，可徹底擺脫熱陰極的壽命短板，離子源可在多重工作氣體環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定工作，可在特定環(huán)境下實(shí)現(xiàn)超過
100小時(shí)無保養(yǎng)連續(xù)穩(wěn)定工作，非常適合高精密光學(xué)、科研及軍工等領(lǐng)域的應(yīng)用。
