原理
依據陽極層線性封閉漂移理論，氣體在離子中的陰陽極之間通過。其陽極的正電壓與加在內外陰極端部間的強磁場相互作用，產
生等離子體，來自與等離子體中的離子受陽極電場的驅動，由離子源中產生噴出的離子東流。
用途
可作為基片表面的清潔離子清洗源。
可在柔性基片上直接鎪 DLC 和光學膜、氧化物、氨化物等作為磁控濺射過程中的離子輔助沉積。
特性
低氣壓、低電壓、高束流。陽極層離子源產生的低能量、大東流的離子東可以有效去除基片表面的有機污染物和氧化層，增加薄
膜的附著力，同時避免對基片轟擊時造成損傷(如平板顯示器鍍膜、柔性基材鍍膜)。
無燈絲、柵極及中和柵，可長時間穩(wěn)定運行和生產。非常高的平均無故障時間和極低的維護成本。由于陽極膜離子源無需燈絲，
空心陰極等電子中和器而且水冷完全，所以其對鍍膜環(huán)境的溫度改變很好。這個特性對溫度敏感基片的鍍膜非常有利。同樣道理，沒
有電子中和器使其可以長時間免維護工作。
可適應各種反應氣體和惰性氣體。陽極層離子源的機構和材料組成使得其完全適應絕大部分反應氣體，如氮氣、氧氣及氙氣等。
離子源長度可根據用戶需要制造。
